具有熔丝组件的半导体装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910118513.1
IPC分类号：H01L21/77;H01L21/71;H01L21/311;H01L21/31;H01L23/525
申请日期：
2009-02-26
申请人：
世界先进积体电路股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有熔丝组件的半导体装置的制造方法
申请号	CN200910118513.1	申请日期	2009-02-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-01	公开/公告号	CN101819945A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;7;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;5查看分类表>
申请人	世界先进积体电路股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	世界先进积体电路股份有限公司	当前权利人	世界先进积体电路股份有限公司
发明人	罗文勋;刘兴潮;陈进东;林光明
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	任默闻

摘要

一种具有熔丝组件的半导体装置的制造方法，包括：提供半导体结构，具有第一组件区与第二组件区；形成熔丝组件于所述第一组件区内的所述半导体结构上；形成第一层间介电层于所述熔丝组件与所述半导体结构上；依序形成刻蚀停止层与第二层间介电层于所述第一层间介电层上；形成焊垫于所述第二组件区内的所述第二层间介电层上；形成保护层覆盖所述焊垫与所述第二层间介电层；于所述保护层内形成第一开口与第二开口，分别位于所述熔丝组件与所述焊垫上；露出所述熔丝组件上的所述刻蚀停止层的顶面及部分侧壁；于所述熔丝组件及其邻近的所述半导体结构上留下顺应的另一保护层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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