长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610003587.7
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/187
申请日期：
2006-02-15
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法
申请号	CN200610003587.7	申请日期	2006-02-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-08-22	公开/公告号	CN101022208
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;1;8;7查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	王小东;吴旭明;谭满清
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种长波长垂直腔面发射激光器的结构，包括：一衬底，该衬底为N型InP衬底；一缓冲层制作在衬底上；一下布拉格反射镜制作在缓冲层上，该下布拉格反射镜用于反射激光腔内的光来形成激光振荡；一有源区，该有源区制作在下布拉格反射镜上，用来形成光增益；一电极接触层，该电极接触层制作在有源区上的两侧，用来形成良好的欧姆接触；一上布拉格反射镜，该上布拉格反射镜制作在有源区上的中间位置，同时形成出光窗口，并用于反射激光腔内的光来形成激光振荡；一P电极，该P电极制作在电极接触层的上面，用于电流注入；一N电极，该N电极制作在衬底的下面。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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