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溅镀装置及溅镀方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200980150338.2
  • IPC分类号:C23C14/34;H01L21/285
  • 申请日期:
    2009-12-08
  • 申请人:
    株式会社爱发科
著录项信息
专利名称溅镀装置及溅镀方法
申请号CN200980150338.2申请日期2009-12-08
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-11-16公开/公告号CN102245798A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/34IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5查看分类表>
申请人株式会社爱发科申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社爱发科当前权利人株式会社爱发科
发明人森本直树;滨口纯一
代理机构北京英特普罗知识产权代理有限公司代理人齐永红
摘要
提供一种溅镀装置,对在基板表面上形成的长宽比很高的各微孔,可以覆盖性良好的成膜。该溅镀装置包括:配置有基板W的真空腔1;阴极单元C,面对基板安装在真空腔内,构成为将有底桶状的靶材4以靶材的底部侧先进入的方式安装在形成于托架2单侧上的至少一个凹部3内,同时组装上在靶材的内部空间产生磁场的磁场发生设备6;施加有正电压的阳极屏蔽层8;向真空腔内导入指定的溅射气体的气体导入设备12;向所述阴极单元中施加功率的电源;垂直磁场发生设备,其由在将所述阴极单元和基板连接起来的基准轴的周围,安装在真空腔壁上的线圈15,以及能向各线圈通电的电源构成;控制气体导入设备导入溅射气体的控制设备16。

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