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GaN基发光二极管芯片及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110268144.1
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2011-09-09
  • 申请人:
    上海蓝光科技有限公司
著录项信息
专利名称GaN基发光二极管芯片及其制造方法
申请号CN201110268144.1申请日期2011-09-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-12-21公开/公告号CN102290505A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人上海蓝光科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海蓝光科技有限公司当前权利人上海蓝光科技有限公司
发明人陈诚;郝茂盛;张楠
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法,包括如下步骤:1)提供蓝宝石衬底,其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;2)从上述第一表面所在的一侧对所述蓝宝石衬底进行隐形切割;3)在所述蓝宝石衬底的上述第一表面上形成GaN半导体层;4)在所述GaN半导体层上形成透明导电层、P电极及N电极;5)从上述第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底;6)在所述蓝宝石衬底的上述第二表面上形成反射层;以及7)裂片。根据该制备方法,能够同时发挥隐形切割技术以及背面蒸镀反射层技术的优点,并且与现有技术的制备工艺相比,亮度提升效果及稳定性效果明显,生产成本低并且简单易操作,适用于工业化大生产。

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