用于扩展存储器操作裕度并减小第二位效应的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710106938.1
IPC分类号：G11C16/06;G11C16/10;H01L27/115
申请日期：
2007-05-09
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	用于扩展存储器操作裕度并减小第二位效应的方法
申请号	CN200710106938.1	申请日期	2007-05-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-12-26	公开/公告号	CN101093726
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;6;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	吴昭谊
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二位的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法，其通过施加正栅极电压+Vg将存储单元抹除为负电压电平来进行。或者，将负栅极电压-Vg施加到前述单一存储单元二位的存储器以便将存储单元抹除为负电压电平。增大存储器操作裕度的第二方法是将存储单元抹除为低于初始启始电压电平的电压电平。这两种抹除方法可在程序化步骤之前(即，预程序化抹除操作)或在程序化步骤之后(即，后程序化抹除操作)实施。

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