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一种银颗粒掺杂的硅碳复合材料及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711311092.5
  • IPC分类号:H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2017-12-11
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种银颗粒掺杂的硅碳复合材料及其制备方法和应用
申请号CN201711311092.5申请日期2017-12-11
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-06-15公开/公告号CN108172781A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/36IPC分类号H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人王秀丽;邢焱;夏新辉;涂江平
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人陈升华
摘要
本发明公开了一种银颗粒掺杂的硅碳复合材料及其制备方法和应用,该方法包括:将Al‑Si合金颗粒分散在HCl水溶液中,分散反应,然后离心,清洗,真空干燥;将氨水加入到AgNO3水溶液中,制备成银氨溶液,将所得多孔硅结构的粉末、乙醇、银氨溶液以及聚乙烯吡咯烷酮混合反应,最后进行离心,清洗,真空干燥,得到黑色粉末将黑色粉末通过化学气相沉积反应沉积碳层,得到银颗粒掺杂的硅碳复合材料。得到的结构具有高的稳定性及高导电性,不仅能够有效解决硅在充放电过程中的体积变化问题,同时也改善了硅固有的导电性差的问题,利用本发明制备的银掺杂硅碳复合锂离子负极材料制成的电池适用于高能量密度储能器件。

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