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In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体及物理成膜用靶

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780052922.5
  • IPC分类号:C04B35/00;C23C14/34;H01L21/363
  • 申请日期:
    2007-11-30
  • 申请人:
    出光兴产株式会社
著录项信息
专利名称In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体及物理成膜用靶
申请号CN200780052922.5申请日期2007-11-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-03-03公开/公告号CN101663250
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/00IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6;3查看分类表>
申请人出光兴产株式会社申请人地址
日本国东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人出光兴产株式会社当前权利人出光兴产株式会社
发明人矢野公规;井上一吉
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李贵亮
摘要
本发明提供一种氧化物烧结体,其特征在于,含有铟元素(In)、镓元素(Ga)、锌元素(Zn)及锡元素(Sn),含有由Ga2In6Sn2O16或(Ga,In)2O3表示的化合物。

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