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采用导电聚合物转移的垂直结构LED芯片及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910039882.1
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/78
  • 申请日期:
    2009-06-01
  • 申请人:
    广东昭信光电科技有限公司
著录项信息
专利名称采用导电聚合物转移的垂直结构LED芯片及其制造方法
申请号CN200910039882.1申请日期2009-06-01
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2009-12-09公开/公告号CN101599523
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人广东昭信光电科技有限公司申请人地址
广东省佛山市南海区平洲南港大街5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东昭信光电科技有限公司当前权利人广东昭信光电科技有限公司
发明人刘胜;甘志银;王凯;汪沛;周圣军;金春晓
代理机构佛山市南海智维专利代理有限公司代理人梁国杰
摘要
本发明提一种采用导电聚合物转移的垂直结构LED芯片及其制造方法,其是在蓝宝石衬底LED外延片上蒸镀ITO透明导电层;在透明导电层上蒸镀Al或Ag或Pt作为反射层;在反射层上涂敷高热导率的导电胶;通过导电胶将LED外延片键合到高热导率衬底上;采用电感耦合等离子体(ICP)或反应离子刻蚀(RIE)n-GaN、有源层和p-GaN;采用KOH溶液将未掺杂的GaN层刻蚀掉,并对n-GaN表面进行粗化;蒸镀n面电极和p面电极。上述方案提高了产品的散热效率及LED芯片的综合性能。

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