具有磁电阻特性的异质结材料

发明专利无效专利

申请号：
CN200510135499.8
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/10;H01F10/00
申请日期：
2005-12-31
申请人：
中国科学院物理研究所

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著录项信息

专利名称	具有磁电阻特性的异质结材料
申请号	CN200510135499.8	申请日期	2005-12-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-04	公开/公告号	CN1992366
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;H;0;1;F;1;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	吕惠宾;何萌;赵昆;黄延红;金奎娟;刘国珍;邢杰;陈正豪;周岳亮;杨国桢
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人	高存秀

摘要

本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再生长辅助层，依次进行叠层；制备两种材料异质结磁电阻材料。也可以把掺杂锰氧化物和钛酸锶与铝酸镧或钛酸锶与钛酸钡、或钛酸钡与铝酸镧的三种材料，进行周期性的交替叠层，制备三种材料的多层膜或超晶格结构的磁电阻异质结材料，其中掺杂锰氧化物层层厚为0.8nm～5μm，辅助层的厚度为0.8nm～5μm。上述异质结材料具有低场高灵敏度磁电阻特性，即使在室温也具有大于30%的磁电阻变化率，在磁记录、磁头和传感器等方面具有非常广泛的应用。

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