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一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210445356.7
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2012-11-09
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺
申请号CN201210445356.7申请日期2012-11-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-03-06公开/公告号CN102956548A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人廖广兰;史铁林;孙博;盛文军;张康;汤自荣;夏奇;高阳;谭先华
代理机构华中科技大学专利中心代理人李智
摘要
本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺,包括步骤:(1)在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形;(2)镀上银膜或金膜;(3)在电场之中,采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀;(4)去除光刻胶;(5)去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度,由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微纳米尺度通孔结构。

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