半导体器件、半导体模块及半导体模块的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610151670.9
IPC分类号：H01L23/498;H01L25/00;H01L21/60
申请日期：
2006-09-11
申请人：
日立麦克赛尔株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体器件、半导体模块及半导体模块的制造方法
申请号	CN200610151670.9	申请日期	2006-09-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-04-11	公开/公告号	CN1945822
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	日立麦克赛尔株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日立麦克赛尔株式会社	当前权利人	日立麦克赛尔株式会社
发明人	山中登志弘;塚本博之;岸本清治
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	熊志诚

摘要

本发明提供一种散热性及耐热性优越的半导体发光器件。本发明的半导体发光器件在硅辅助座元件(2)上具有芯片LED(3～6)，在硅辅助座元件(2)上形成配线图案(7)，该配线图案(7)包括：用于连接芯片LED(3～6)的芯片连接端子部(7a)；用于连接外部装置的外部连接端子部(7b)；以及连接对应的芯片连接端子部(7a)和外部连接端子部(7b)的多个引线部(7c)。而且，芯片连接端子部(7a)的面积比芯片连接端子部(7a)及芯片LED(3～6)相互重合区域的面积大。

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