卤素制冷剂检测传感器敏感材料及气敏元件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810195806.5
IPC分类号：G01N27/407
申请日期：
2008-09-02
申请人：
徐州市精英电器技术有限公司

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专利名称	卤素制冷剂检测传感器敏感材料及气敏元件的制造方法
申请号	CN200810195806.5	申请日期	2008-09-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-02-18	公开/公告号	CN101368930
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/407 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/403 电池和电极组件〔5〕 G01N27/406 具有固体电解质的电池和探头〔5〕 G01N27/407 用于测试或分析气体〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;4;0;7查看分类表>
申请人	徐州市精英电器技术有限公司	申请人地址	江苏省徐州市铜山区黄山路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏省精创电气股份有限公司	当前权利人	江苏省精创电气股份有限公司
发明人	徐甲强;王丁;张源;许鹏程
代理机构	徐州市三联专利事务所	代理人	周爱芳

摘要

本发明涉及一种卤素制冷剂检测传感器敏感材料及其气敏元件制备方法，敏感材料分为两层，内层组分为SnO2纳米材料；外层材料为负载有Pd量子点的介孔SiO2。首先将SnO2纳米粉体研磨后以适量去离子水调成糊状，均匀涂敷在厚膜元件表面，经过500℃退火处理2小时，元件表面均匀涂敷负载有0.1％-1％Pd量子点的介孔SiO2增敏材料，再次经过500℃退火处理2小时，制得气敏元件。最后按厚膜半导体气敏元件制作工艺对气敏元件进行焊接、老化、封装、制得制冷剂R134a检测传感器元件。本发明制得的气敏元件在卤素制冷剂检测中具有灵敏度高，稳定性好、响应恢复时间短的优点，可用于卤素制冷剂的检漏或检测领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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