半导体激光装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200510085987.2
IPC分类号：H01S5/00;H01S5/022;H01L31/02
申请日期：
2005-07-20
申请人：
夏普株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体激光装置
申请号	CN200510085987.2	申请日期	2005-07-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-01-25	公开/公告号	CN1725582
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;0;2;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	松原和德;堀口武;小泉秀史
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李香兰

摘要

在半导体激光装置中，在布线基板(101)的上面设置有焊盘图案，同时安装有块部件单元(102)。块部件单元(102)具有面向着同一方向的第一搭载面(113)和第二搭载面(114)，同时具有变换光轴的垂直反射镜(111)。在第一搭载面(113)上搭载了射出激光光线L的半导体激光元件(103)。在第二搭载面(114)面上搭载了接受激光光线L的反射光的受光元件(104)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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