高速电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201110322330.9
IPC分类号：H03M9/00
申请日期：
2011-10-21
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	高速电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换电路
申请号	CN201110322330.9	申请日期	2011-10-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-06	公开/公告号	CN102916704A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03M9/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03M 一般编码、译码或代码转换（用射流方法入F15C 4/00；光学模/数转换器入G02F 7/00；专用于特殊应用的编码、译码或代码转换见有关小类，例如G01D，G01R，G06F，G06T，G09G，G10L，G11B，G11C，H04B，H04L，H04M，H04N；专用于密码技术或涉及需要保密的其他目的的编码或译码入G09C）〔4〕 H03M9/00 并行/串行转换或相反转换（其中的信息逐级移动的数字存储器本身入G11C 19/00）〔4〕	IPC分类号	H;0;3;M;9;/;0;0查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	曹永峰
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;陈慧弘

摘要

本发明公开了一种高速电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换电路，包括：第一差分单元，第二差分单元和输出单元，其中，设有一电阻与第一反相器并联。第一差分管M1和第二差分管M2为NMOS管，第三差分管M3和第四差分管M4为PMOS管。本发明提供的CML到CMOS转换电路较传统电路将延时时间从64ps提高到了34ps，提高了将近一倍，这样为高速并转串电路提供了更多的时钟延时冗余度。

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