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一种氧化镁部分稳定氧化锆粉体的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110306354.5
  • IPC分类号:C04B35/48;C04B35/626
  • 申请日期:
    2011-10-11
  • 申请人:
    武汉钢铁(集团)公司
著录项信息
专利名称一种氧化镁部分稳定氧化锆粉体的制备方法
申请号CN201110306354.5申请日期2011-10-11
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-06-20公开/公告号CN102503416A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/48IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;6查看分类表>
申请人武汉钢铁(集团)公司申请人地址
湖北省武汉市武昌区友谊大道999号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉钢铁(集团)公司当前权利人武汉钢铁(集团)公司
发明人余丽红;郑瑜;肖友先;张永隽;陈倩倩
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司代理人钟锋;乔宇
摘要
本发明涉及一种氧化镁部分稳定氧化锆粉体的制备方法。其特征在于:包括以下步骤:(1)在搅拌条件下,在丙烯酸水溶液中加入氯氧化锆水溶液和MgO,MgO和氯氧化锆的摩尔比为1:5~1:200,MgO和氯氧化锆的总和与丙烯酸的摩尔比为1:1~1:5,得到均相溶液;(2)将均相溶液通氮除氧,加入(NH4)2S2O8引发剂,然后于60~100oC引发聚合得到固体聚丙烯酸盐;(3)将固体聚丙烯酸盐干燥得到共聚物前驱体;(4)将共聚物前驱体在空气气氛下450~700oC热解4~12小时;(5)研磨,1000~1200oC煅烧4~36小时即得。该方法易于控制,便于实施,制备的氧化镁部分稳定氧化锆粉体粒度分布窄,粒径可以达到纳米范围。

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