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用于金属有机物化学沉积设备的气路装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010033967.1
  • IPC分类号:C23C16/18;C23C16/455
  • 申请日期:
    2010-01-07
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称用于金属有机物化学沉积设备的气路装置
申请号CN201010033967.1申请日期2010-01-07
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-08-25公开/公告号CN101812671A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/18IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A4栋首层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东省中科宏微半导体设备有限公司当前权利人广东省中科宏微半导体设备有限公司
发明人冉军学;王晓亮;胡国新;肖红领;张露;殷海波;李晋闽
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人王新华
摘要
本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置,其包括:气体入口;从所述气体入口引出的并行布置的多组气路,每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路,第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中:气体通过一组气路时,气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个;且第一子气路上设置有第一流量计,第二子气路上设置有第二流量计,所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计,在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制,从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。

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