改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210300840.0
IPC分类号：H01L21/8247;H01L21/314
申请日期：
2012-08-22
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法
申请号	CN201210300840.0	申请日期	2012-08-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-12	公开/公告号	CN103633030A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;4查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	刘继全;孙勤
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	高月红

摘要

本发明公开了一种改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法，包括步骤：1）在硅衬底上，制备隧穿氧化层；2）在隧穿氧化层上，制备氮化硅层；3）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅层进行ISSG氧化，形成氮氧化硅阻挡层；4）在氮氧化硅阻挡层上，制备氮化硅陷阱层；5）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅陷阱层进行部分氧化，形成顶层高含氧氮氧化硅阻挡层。本发明可使得最终的SONOS闪存器件产品可靠性的面内均一性得到很大程度的提高；同时，对于日常工艺的控制也更直观，更为方便。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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