提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610011224.8
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/187
申请日期：
2006-01-18
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
申请号	CN200610011224.8	申请日期	2006-01-18
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-25	公开/公告号	CN101005194
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;1;8;7查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	李若园;徐波;王占国
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

本发明一种提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半绝缘砷化镓(100)衬底上，使用分子束外延的方法外延生长200nm的砷化镓缓冲层；(B)在砷化镓缓冲层上生长7个周期的砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜；(C)对砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜进行刻蚀至衬底，形成条形结构；(D)将刻蚀好的材料放入氧化炉中，进行湿法氧化，以把砷化铝氧化成氧化铝；(E)在氧化炉中退火，同时关闭水蒸气，向炉中通氮气进行气体保护，以提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜的界面质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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