一种高长径比半水硫酸钙晶须的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210107042.6
IPC分类号：C30B29/62;C30B29/46;C30B7/10
申请日期：
2012-04-13
申请人：
昆明理工大学

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著录项信息

专利名称	一种高长径比半水硫酸钙晶须的制备方法
申请号	CN201210107042.6	申请日期	2012-04-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-09-19	公开/公告号	CN102677177A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/62 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/60 以形状为特征的〔3〕 C30B29/62 晶须或针状结晶〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;6;2;;;C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;7;/;1;0查看分类表>
申请人	昆明理工大学	申请人地址	云南省昆明市五华区学府路253号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明理工大学	当前权利人	昆明理工大学
发明人	李沪萍;罗康碧;李春梅;向兰;夏家群;苏毅;赵榆林
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种高长径比半水硫酸钙晶须的制备方法，该方法以可溶性无机钙盐及无机硫酸盐为原料，首先在10~90℃条件下进行共沉淀，过滤洗涤后在40~150℃进行活化处理1~6h得前驱体，将前驱体加入添加了晶型控制剂的水热介质中，在80~180℃水热处理2~10h，将水热产物洗涤、过滤、干燥，即可制得直径0.1~4μm、长度20~3000μm、长径比50~1000、形貌规则、尺寸均一的半水硫酸钙晶须；本发明方法简单、条件温和、原料价廉易得、易于工业推广，利用本发明制备的半水硫酸钙晶须主含量大于98%，且形貌规则、粒径较均一、附加值高，可望作为高性能增强材料用于陶瓷、塑料、橡胶、造纸等行业。

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