可改变耐压的瞬态电压抑制器的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910301371.2
IPC分类号：H01L21/329;H01L21/22;H01L21/306;H01L21/302;H01L21/324;H01L21/28
申请日期：
2009-04-07
申请人：
昆山东日半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	可改变耐压的瞬态电压抑制器的制造方法
申请号	CN200910301371.2	申请日期	2009-04-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-02	公开/公告号	CN101521162
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/329 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕 H01L21/329 包括1个或两个电极的器件，例如二极管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	昆山东日半导体有限公司	申请人地址	江苏省昆山市花桥经济开发区花安路1758号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆山东日半导体有限公司	当前权利人	昆山东日半导体有限公司
发明人	张仓生;郭宗裕;王自强
代理机构	南京纵横知识产权代理有限公司	代理人	董建林;孙永生

摘要

本发明公开了一种可改变耐压的瞬态电压抑制器制造方法，其包括下列步骤：提供基板、图案化基板、清洗基板、热处理基板、及形成金属电极。利用改变基板热处理时的温度，可形成不同厚度的氧化绝缘层的性质，来改变瞬态电压抑制器的耐压，以此可有效地减少瞬态电压抑制器应用于低电压时的漏电流。此外在热处理过程中又使用了含氯气体，所以氧化绝缘层中含有氯分子，因而可依赖氯分子达到稳定电荷的功效。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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