Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN组合紫外发光管及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610285795.4
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/26;H01L33/28;H01L33/00
申请日期：
2016-05-03
申请人：
金华吉大光电技术研究所有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN组合紫外发光管及其制备方法
申请号	CN201610285795.4	申请日期	2016-05-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-29	公开/公告号	CN105720148A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;6;;;H;0;1;L;3;3;/;2;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	金华吉大光电技术研究所有限公司	申请人地址	浙江省金华市仙源路855号研发展示中心01-402号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	金华吉大光电技术研究所有限公司	当前权利人	金华吉大光电技术研究所有限公司
发明人	杜国同;梁红伟;董鑫;夏晓川;包俊飞
代理机构	长春吉大专利代理有限责任公司	代理人	刘世纯;王恩远

摘要

本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及两种Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO‑GaN組合紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的p型GaN空穴注入层，空穴注入层上制备的n‑ZnO电子注入层和下电极，电子注入层上面制备的上电极等部件构成，其特征在于：在p型GaN空穴注入层和n‑ZnO电子注入层之间还制备有Cu掺杂的ZnO有源层。本发明可实现ZnO带边的紫外发光，并可比ZnO‑GaN简单组合发光管提高输出功率，进一步拓展器件的应用范围。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供