表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202010666521.6
IPC分类号：--
申请日期：
2020-07-10
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用
申请号	CN202010666521.6	申请日期	2020-07-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-13	公开/公告号	CN111769182A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	赵丽霞;林杉
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	刘歌

摘要

一种表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用，该表面等离激元GaN基LED外延结构包括一衬底；一缓冲层；一n型GaN层；一InGaN/GaN多量子阱有源区；‑介质隔离层；‑金属颗粒层；‑介质盖层；一电子阻挡层；以及一p型GaN层。本发明的表面等离激元GaN基LED外延结构包含不多于三对量子阱，由于等离激元与距离其最近的量子阱也即最靠近pgan的量子阱耦合效率最高，因而减小量子阱数目可实现载流子与等离激元耦合的最大化耦合，减小了量子阱增多带来的无效耦合，极大提高辐射复合速率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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