首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

静电放电保护电路及静电放电保护的深次微米半导体元件

发明专利无效专利

申请号：
CN201611199129.5
IPC分类号：H01L27/02
申请日期：
2016-12-22
申请人：
台湾类比科技股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	静电放电保护电路及静电放电保护的深次微米半导体元件
申请号	CN201611199129.5	申请日期	2016-12-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-29	公开/公告号	CN108231758A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人	台湾类比科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾台北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾类比科技股份有限公司	当前权利人	台湾类比科技股份有限公司
发明人	林欣逸;谢协缙
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	梁挥;鲍俊萍

摘要

本发明公开了一种静电放电保护电路及其静电放电保护的深次微米半导体元件，该深次微米半导体元件的一漏极所对应的浓掺杂区与其相邻的淡掺杂区交界处向外推开，使其交界处与最近的一栅极绝缘层侧壁保持一间隔，而不与栅极绝缘层侧壁切齐；如此，深次微米半导体元件的漏极与源极不因深次微米工艺的较小布局规则而过近，有效提升深次微米元件的静电放电耐受力。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供