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钨插塞的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810112806.4
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2008-05-26
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称钨插塞的制造方法
申请号CN200810112806.4申请日期2008-05-26
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2009-12-02公开/公告号CN101593720
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
北京市经济技术开发区文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人保罗
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
一种钨插塞的制造方法,包括:提供具有介质层的半导体基底,在所述介质层中具有介质孔;在所述介质孔中和介质层上沉积厚度小于2500埃的钨金属层,且所述钨金属层至少填满所述介质孔;平坦化所述钨金属层,去除所述介质层上以及所述介质孔开口上方多余的钨金属层。本发明可改善形成的钨插塞的腐蚀缺陷。

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