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钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610390890.0
  • IPC分类号:C04B35/493;C04B35/622;C04B41/88
  • 申请日期:
    2016-06-02
  • 申请人:
    四川大学
著录项信息
专利名称钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
申请号CN201610390890.0申请日期2016-06-02
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-11-02公开/公告号CN106064945A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/493IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;9;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;4;1;/;8;8查看分类表>
申请人四川大学申请人地址
四川省成都市武侯区一环路南一段24号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人四川大学当前权利人四川大学
发明人刘洪;张倩;朱建国;余萍;徐威;陈强;肖定全
代理机构成都科海专利事务有限责任公司代理人吕建平;周敏
摘要
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+uwt%CaCO3+vwt%Li2CO3+wmol%Yb2O3,其中0.02≤x≤0.15,0.02≤y≤0.15,0.08≤u≤0.5,0.08≤v≤0.5,0≤w≤0.4。本发明还提供了上述钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷的制备方法。该压电陶瓷烧结温度低,并且兼具良好的压电性能和较高的居里温度。

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