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一种分子印迹聚合物天麻素电化学传感器的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710813838.6
  • IPC分类号:G01N27/416;G01N27/30
  • 申请日期:
    2017-09-11
  • 申请人:
    青岛大学
著录项信息
专利名称一种分子印迹聚合物天麻素电化学传感器的制备方法
申请号CN201710813838.6申请日期2017-09-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-02-13公开/公告号CN107688049A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/416IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;4;1;6;;;G;0;1;N;2;7;/;3;0查看分类表>
申请人青岛大学申请人地址
山东省青岛市崂山区香港东路7号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人青岛大学当前权利人青岛大学
发明人桂日军;金辉;王宗花;郭慧君
代理机构青岛高晓专利事务所(普通合伙)代理人张世功
摘要
本发明属于纳米材料和电化学传感的交叉技术领域,涉及一种基于分子印迹聚合物/还原氧化石墨烯‑银纳米颗粒/泡沫镍的天麻素电化学传感器的制备方法;采用Hummers法制备氧化石墨烯,将氧化石墨烯和银氨溶液共还原成还原氧化石墨烯和银纳米颗粒沉积在泡沫镍表面;以吡咯为单体,天麻素为模板分子,在修饰的泡沫镍电极表面通过电聚合生成聚吡咯;去除模版分子制得具有天麻素印迹的聚吡咯/还原氧化石墨烯‑银纳米颗粒/泡沫镍的体系;拟合天麻素在该体系的电解液中浓度与氧化电流峰强度之间的线性关系,构建基于该体系的天麻素电化学传感器;该传感器工艺简单,制备成本低,产品灵敏度高,可作为一种新颖的电化学传感器用于天麻素的高效检测。

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