FlashEEPROM灵敏放大电路

发明专利无效专利

申请号：
CN201110001619.0
IPC分类号：G11C7/06
申请日期：
2011-01-06
申请人：
上海华虹集成电路有限责任公司

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著录项信息

专利名称	FlashEEPROM灵敏放大电路
申请号	CN201110001619.0	申请日期	2011-01-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-18	公开/公告号	CN102592649A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/06 读出放大器；相关的电路（放大器本身入H03F，H03K）〔1，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;0;6查看分类表>
申请人	上海华虹集成电路有限责任公司	申请人地址	上海市浦东新区上海浦东张江碧波路572弄39号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹集成电路有限责任公司	当前权利人	上海华虹集成电路有限责任公司
发明人	夏天;傅志军;顾明
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种FlashEEPROM灵敏放大电路，其包括：一基准电流源，用于给该灵敏放大电路提供基准电流；一P类级联负反馈环路，其采用PMOS管实现级联结构，用于将参考单元位线或存储单元位线的电压钳位于预设的偏置电位；一负载增益电阻。该基准电流源、P类级联负反馈环路与负载增益电阻依次串联，且该负载增益电阻接地。所述基准电路源产生的电流经参考单元或存储单元分流后流经所述负载增益电阻，产生检测电压或参考检测电压，该检测电压和参考检测电压均送入后继差分比较器，通过比较所述两个电压，从而得到存储单元内的数据值。本发明的电路能够工作在低的电源电压下，提供高的漏端电压，从而改善读出速度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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