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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010183402.1
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/51;H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2010-05-18
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN201010183402.1申请日期2010-05-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-07-20公开/公告号CN102129979A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人许俊豪;姚亮吉;官大明
代理机构北京德恒律师事务所代理人陆鑫;高雪琴
摘要
本发明提供半导体装置及其制造方法,具体地,提供制造IC装置的氟钝化方法及装置。在一实施例中,一种半导体装置的制造方法,包含提供一基材及以氢氟酸及醇类的混合物钝化此基材的一表面,以形成一氟钝化表面。此方法还包含形成一栅极介电层于此氟钝化表面上,及接着形成一金属栅极电极于此栅极介电层上。另外,本发明也揭示以此方法制造的半导体装置。本发明的优点是在无需牺牲栅极氧化层的整体厚度或介电常数的前提下降低漏电流。

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