一种缺陷控制方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410031726.8
IPC分类号：--
申请日期：
2004-03-24
申请人：
力晶半导体股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种缺陷控制方法
申请号	CN200410031726.8	申请日期	2004-03-24
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-28	公开/公告号	CN1673991
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	力晶半导体股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力晶半导体股份有限公司	当前权利人	力晶半导体股份有限公司
发明人	林龙辉
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	王志森;黄小临

摘要

一种一半导体制造过程中利用每日例行检查来进行缺陷控制的方法，首先提供一已图案化的晶片，该晶片表面包含有多个第一缺陷，接着对该晶片进行一半导体制造过程，该半导体制造过程于该晶片上形成多个第二缺陷，再对该晶片进行一缺陷检测，以检测出该晶片上的多个第一缺陷与该多个第二缺陷，最后将所检测到的这些缺陷依据一预设的数据库进行缺陷分类，以将该多个第一缺陷与该多个第二缺陷分开，并依据该数据库将该多个第二缺陷分类为多个缺陷类型。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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