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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201780031924.X
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08
  • 申请日期:
    2017-04-24
  • 申请人:
    通用电气公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201780031924.X申请日期2017-04-24
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2019-01-04公开/公告号CN109155335A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8查看分类表>
申请人通用电气公司申请人地址
美国纽约州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人通用电气公司当前权利人通用电气公司
发明人P·A·洛西;Y·隋;A·V·波洛尼科夫
代理机构上海华诚知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本文中提供了半导体器件及其形成方法的实施例。在一些实施例中,功率半导体器件可包括具有第一导电类型的第一层;设置在所述第一层顶上的第二层,所述第二层具有所述第一导电类型;形成于所述第二层中的终止区,所述终止区具有与所述第一类型相反的第二导电类型;以及至少部分地形成于所述第二层中的有源区,其中,所述有源区邻近所述终止区在接近所述终止区的第一侧处设置,并且其中,所述第二层至少部分地邻近所述终止区在接近与所述第一侧相对的所述终止区的第二侧处设置。

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