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半导体器件和制造半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210353412.4
IPC分类号：H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335;H02M5/458;H03F3/189
申请日期：
2012-09-20
申请人：
富士通株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件和制造半导体器件的方法
申请号	CN201210353412.4	申请日期	2012-09-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-03	公开/公告号	CN103022105A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/423 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/423 不通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;2;M;5;/;4;5;8;;;H;0;3;F;3;/;1;8;9查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士通株式会社	当前权利人	富士通株式会社
发明人	金村雅仁;宫岛丰生;多木俊裕
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	顾晋伟;全万志

摘要

本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层上的第二半导体层；设置在第二半导体层上的下绝缘膜；设置在下绝缘膜上的p型导电氧化物膜；设置在氧化物膜上的上绝缘膜；和设置在上绝缘膜上的栅电极，其中在栅电极下方的下绝缘膜具有凹陷部分。

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