用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN90108281.3
IPC分类号：--
申请日期：
1990-10-11
申请人：
克里研究公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法
申请号	CN90108281.3	申请日期	1990-10-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1991-04-24	公开/公告号	CN1050949
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	克里研究公司	申请人地址	美国北卡罗来纳州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	克里公司	当前权利人	克里公司
发明人	约翰·W·帕穆尔;华双·孔;约翰·A·爱德蒙
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	段承恩

摘要

本发明是在一块单晶碳化硅晶体上形成一个基本的平表面的方法，将基本的平表面暴露在腐蚀性等离子体中，直至任何因机械制备该表面而引起的表面或表面下的损伤基本上被消除。然而，腐蚀是有限的，持续时间不超过在表面上等离子腐蚀发展新缺陷或者使现有缺陷恶化所要的时间，同时采用等离子体气体和电极系统，它们本身不会在表面中恶化或者引起显著的缺陷。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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