加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210198843.8
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L21/329
  • 申请日期:
    2012-06-16
  • 申请人:
    中国振华集团永光电子有限公司
著录项信息
专利名称低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法
申请号CN201210198843.8申请日期2012-06-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-10-03公开/公告号CN102709333A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人中国振华集团永光电子有限公司申请人地址
贵州省贵阳市新添大道北段270号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国振华集团永光电子有限公司当前权利人中国振华集团永光电子有限公司
发明人吴贵松;刘宗永;许晓鹏
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管的制造方法,该低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管包括壳体及沿壳体两端引出的引线,其还包括设于壳体内的瞬态电压抑制二极管管芯、整流二极管管芯、数个铝片层及两个钼电极,该瞬态电压抑制二极管管芯与整流二极管管芯之间串联连接,数个铝片层分别设于瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯的两个侧面上,该瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯还分别与一钼电极相连接,该两钼电极分别与一引线相连接。本发明制作的低电容硅瞬态电压抑制二极管同时具有瞬态电压抑制二极管和整流管的功能,不仅体积小、重量轻、制作成本较低,且具有低结电容的显著优点,尤其适合在高频线路做保护器件使用。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供