稀土正铁氧体单晶的生长方法及应用

发明专利无效专利

申请号：
CN201410193630.5
IPC分类号：C30B13/00;C30B29/24;C30B29/22
申请日期：
2014-05-09
申请人：
上海大学

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著录项信息

专利名称	稀土正铁氧体单晶的生长方法及应用
申请号	CN201410193630.5	申请日期	2014-05-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-20	公开/公告号	CN103993348A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;2;4;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2查看分类表>
申请人	上海大学	申请人地址	上海市宝山区上大路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海大学	当前权利人	上海大学
发明人	王冠伟;袁淑娟;张金仓;曹世勋
代理机构	上海上大专利事务所（普通合伙）	代理人	何文欣

摘要

本发明公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法，通过光学浮区生长法进行第一次晶体生长，得到有1个方向的单晶，然后单晶作为籽晶棒进行循环生长，得到有3个方向的单晶。本发明还公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法的用途，用于制备稀土正铁氧体单晶材料。本发明结合稀土材料本身的特点，使用光学浮区法，通过控制单晶生长速度、料棒旋转速度和气氛的流量等工艺参数得到稳定的熔体，采用单晶作为下棒，从而循环生长有明确a,b,c三个晶体方向的稀土正铁氧体RFeO3功能单晶晶体，整个制备过程，无腐蚀、无污染、晶体完整性好、晶体质量高、晶体生长效率高、可重复性好。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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