基于表面非均匀波纹的同轴型强流陶瓷真空绝缘子

发明专利有效专利

申请号：
CN201810985215.1
IPC分类号：H01B17/36;H01B17/42
申请日期：
2018-08-28
申请人：
中国人民解放军国防科技大学

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著录项信息

专利名称	基于表面非均匀波纹的同轴型强流陶瓷真空绝缘子
申请号	CN201810985215.1	申请日期	2018-08-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-18	公开/公告号	CN109243727A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B17/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B17/00 按形状特点区分的绝缘子或绝缘物体 H01B17/36 抽真空的或有充气空隙的绝缘子	IPC分类号	H;0;1;B;1;7;/;3;6;;;H;0;1;B;1;7;/;4;2查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科技大学	申请人地址	湖南省长沙市开福区德雅路109号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科技大学	当前权利人	中国人民解放军国防科技大学
发明人	孙晓亮;荀涛;李伟;张军;杨汉武;钟辉煌;王日品
代理机构	湖南兆弘专利事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于表面非均匀波纹的同轴型强流陶瓷真空绝缘子，目的是提出一种能阻断电子沿面运动和二次电子雪崩过程，提高同轴型陶瓷绝缘子沿面击穿场强的真空绝缘子。本发明整体呈圆盘状，由阴极、绝缘平板、阳极同轴嵌套连接而成；绝缘平板为氧化铝陶瓷，其处于强流二极管真空工作环境的面从中心孔由内往外依次为第一无波纹区域、非均匀波纹区域、第二无波纹区域。非均匀波纹区域由第一浅波纹区域、深波纹区域、第二浅波纹区域组成。本发明能阻止电子沿面向阳极运动，能束缚越过波峰结构的电子，能阻断电子沿面运动和二次电子雪崩过程，削弱了表面解吸附气体电离过程，提高了同轴型陶瓷绝缘子沿面击穿场强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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