RFLDMOS工艺中的ESD器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210181338.2
IPC分类号：H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336
申请日期：
2012-06-04
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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专利名称	RFLDMOS工艺中的ESD器件及其制造方法
申请号	CN201210181338.2	申请日期	2012-06-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-17	公开/公告号	CN103050510A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕 H01L29/08 具有连接到1个通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	刘冬华;段文婷;胡君;王邦麟;石晶;钱文生
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为N型LDMOS器件，在多晶硅栅源端一侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中形成有N型源漏注入区、第二N型轻掺杂漏注入区和用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，第二P型轻掺杂漏注入区位于N型源漏注入区的外侧并且第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于等于第二N型源漏注入区的结深。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。本发明能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。

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