MOS晶体管及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010275158.1
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78
申请日期：
2010-09-01
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	MOS晶体管及其制作方法
申请号	CN201010275158.1	申请日期	2010-09-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-21	公开/公告号	CN102386097A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	赵猛
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

本发明提供了MOS晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行氟离子注入，形成缺陷吸附区；进行氧化工艺，形成覆盖所述栅极结构的氧化层；在栅极结构两侧的半导体衬底中依次形成源/漏延伸区、包围所述源/漏延伸区的袋状注入区，所述袋状注入区沿沟道长度方向的尺寸小于等于所述缺陷吸附区的尺寸。本发明改善了袋状注入区和源/漏延伸区的掺杂离子随着缺陷扩散，消除了氧化增强扩散效应，抑制了瞬态增强扩散效应，减少了器件漏电流。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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