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具有单层ITO的触控传感器及其制造方法和触控屏

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410782628.1
  • IPC分类号:G06F3/041
  • 申请日期:
    2014-12-17
  • 申请人:
    合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称具有单层ITO的触控传感器及其制造方法和触控屏
申请号CN201410782628.1申请日期2014-12-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-04公开/公告号CN104391609A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F3/041IPC分类号G;0;6;F;3;/;0;4;1查看分类表>
申请人合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请人地址
安徽省合肥市新站区工业园内 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司当前权利人合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
发明人都智;胡明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人吴敬莲
摘要
本发明公开了一种制造具有单层ITO的触控传感器的方法,包括步骤:a)对玻璃基板进行清洁处理;b)在所述玻璃基板上形成消影层,其中通过设置在所述玻璃基板或所述消影层上、与传感器切割标记和传感器绑定区相对应的部位处的可剥胶,去除所述消影层的与所述传感器切割标记和传感器绑定区相对应的部分中的至少一部分;c)在部分被去除的消影层上形成ITO层;以及d)蚀刻所述ITO层,形成所述触控传感器的单层ITO的图形。本发明还公开了一种通过所述方法制造的具有单层ITO的触控传感器以及包括所述触控传感器的触摸屏。

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