生产场致发射阴极的方法、场致发射阴极及光源

发明专利无效专利

申请号：
CN00810176.0
IPC分类号：--
申请日期：
2000-06-13
申请人：
光实验室股份公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	生产场致发射阴极的方法、场致发射阴极及光源
申请号	CN00810176.0	申请日期	2000-06-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2002-07-31	公开/公告号	CN1361918
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	光实验室股份公司	申请人地址	瑞典哥德堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	光实验室股份公司	当前权利人	光实验室股份公司
发明人	甘纳·弗斯伯格;卡尔－哈肯·安德森
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	冯谱

摘要

一种生产用于一个光源、且包括至少一个带有一个场致发射表面的场致发射本体的场致发射阴极的方法,其中该方法包括改性所述发射表面,以便提供在在每个所述表面中的至少一个电场发射不规则体。该方法的不同之外在于,把至少一个激光束引入以成形本体并且同时接触场致发射表面,及由此提供对于本体表面的改性处理。本发明也涉及一种如此生产的场致发射阴极和一种包括这样一个场致发射阴极的光源。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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