一种深紫外LED的封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022499411.3
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/64;H01L33/58;H01L33/54
申请日期：
2020-11-03
申请人：
南京三德光电有限公司

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著录项信息

专利名称	一种深紫外LED的封装结构
申请号	CN202022499411.3	申请日期	2020-11-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;5;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;4查看分类表>
申请人	南京三德光电有限公司	申请人地址	江苏省南京市南京经济技术开发区恒园路龙港科技园B2栋1121室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京三德光电有限公司	当前权利人	南京三德光电有限公司
发明人	沈秋华;吴思
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型涉及LED封装技术领域，且公开了一种深紫外LED的封装结构，包括固定座，所述固定座的内部开设有卡槽，所述卡槽的内底壁固定连接有第一导热硅胶，所述第一导热硅胶的顶部固定连接有基板。该深紫外LED的封装结构，通过设置固定座、卡槽、第一导热硅胶、第二导热硅胶、凹槽、安装块和固定环，使第二导热硅胶将LED芯片产生的热量传导至金属固定座，使固定座通过安装块将部分热量向其他构件转移，使金属固定座将热量吸收并同时向空气中散失，使深紫外LED散热面积增大，解决了通过金属丝与外界空气接触进行散热，但是金属丝与空气的接触面积很小，并且深紫外LED灯体内部的空气通常不流通，导致散热效果差，降低深紫外LED的使用寿命的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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