一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611125650.4
IPC分类号：C30B28/14;C30B29/06
申请日期：
2016-12-08
申请人：
有研半导体材料有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置和方法
申请号	CN201611125650.4	申请日期	2016-12-08
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-19	公开/公告号	CN108179468A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/12 由气态直接制备〔5〕 C30B28/14 用反应气体的化学反应法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	有研半导体材料有限公司	申请人地址	北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	有研半导体材料有限公司	当前权利人	有研半导体材料有限公司
发明人	徐继平;刘浩懿;刘斌;程凤伶;崔彬;史训达;姜舰;曲翔;王海涛;何宇;鲁进军;张建;蔡丽艳;张亮
代理机构	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人	刘秀青;熊国裕

摘要

本发明公开了一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置和方法。该装置包括：沉积主腔体、进气管、主气体输送通道、副气体输送通道、气体弥散孔和密封法兰；其中，主气体输送通道和副气体输送通道安装在沉积主腔体内，副气体输送通道与主气体输送通道垂直相连；进气管的一端经密封法兰连接主气体输送通道，另一端连接位于沉积主腔体外部的源气体MFC；气体弥散孔均匀分布在副气体输送通道上。本发明的装置能够实现单管生长，无单独的导气管，安装极其简便，同时工艺调整简单。通过该装置生产出的膜质吸杂性能非常好，片内和片间均匀性小，生长成本降低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供