一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN201310324856.X
IPC分类号：H01L45/00;H01L27/24;H01L27/28;H01L51/00
申请日期：
2013-07-30
申请人：
桂林电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
申请号	CN201310324856.X	申请日期	2013-07-30
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-11-20	公开/公告号	CN103400936A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;2;8;;;H;0;1;L;5;1;/;0;0查看分类表>
申请人	桂林电子科技大学	申请人地址	广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桂林电子科技大学	当前权利人	桂林电子科技大学
发明人	许积文;何玉汝;王华;戴培邦
代理机构	桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司	代理人	刘梅芳

摘要

本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成；所述肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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