铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其光吸收层的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110331329.2
IPC分类号：H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18
申请日期：
2011-10-26
申请人：
香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院

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专利名称	铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其光吸收层的制备方法
申请号	CN201110331329.2	申请日期	2011-10-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-15	公开/公告号	CN102354711A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0352 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0352 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院	申请人地址	中国香港新界沙田香港中文大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	香港中文大学,中国科学院深圳先进技术研究院	当前权利人	香港中文大学,中国科学院深圳先进技术研究院
发明人	肖旭东;杨春雷;刘壮
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	吴平

摘要

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和金属栅电极层，所述光吸收层的禁带宽度在厚度方向上呈中间平、两侧逐渐升高的梯形分布。这种梯形禁带结构能够在更大的光谱范围内吸收太阳光以保证光吸收层能更充分地吸收太阳能，从而可以提高光吸收率，同时梯形禁带结构产生向光吸收层两侧变化的电势差，能够同时保证短路电流和有效提高开路电压，使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件获得较高的光吸收率和优良的电学性质。此外，还提供两种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的光吸收层的制备方法。

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