一种半导体激光器准直透镜制作装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820211302.3
IPC分类号：H01S5/14
申请日期：
2008-12-17
申请人：
中国科学技术大学

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著录项信息

专利名称	一种半导体激光器准直透镜制作装置
申请号	CN200820211302.3	申请日期	2008-12-17
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/14 外腔谐振器激光器（H01S 5/18优先；模式锁定入H01S 5/065）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;4查看分类表>
申请人	中国科学技术大学	申请人地址	安徽省合肥市金寨路96号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学技术大学	当前权利人	中国科学技术大学
发明人	王克逸;詹珍贤;丁志中;姚海涛
代理机构	合肥金安专利事务所	代理人	金惠贞

摘要

本实用新型涉及能够改变准直透镜面形的一种半导体激光器准直透镜制作装置，解决了现有准直透镜或透镜组体积大、成本高、装调困难、能量利用率低等问题。本实用新型包括二维微调台、环形紫外光源、电极、注射器、光斑检测摄像机和面形检测光路；半导体激光器位于环形紫外光源中央，且二者位于二维微调台上；环形紫外光源环壁内侧面均布设有三个以上紫外发光二极管；面形检测光路由白光光源、反光镜、镜头和面形检测摄像机组成；电极和注射器垂直位于二维微调台上方，且半导体激光器、电极、光斑检测摄像机三者的轴向中心线重合。本实用新型工艺简单，成本低；在半导体激光器的出光窗口上直接滴液滴制作准直透镜，免装调，且体积小，重量轻，能量利用率高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN102445420A	2011-10-13	2011-10-13	基于太赫兹量子器件的透射成像装置及成像方法无效专利	中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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