利用脉冲激光沉积技术调控晶格应力制备固体氧化物燃料电池的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810836269.1
IPC分类号：H01M4/88;H01M4/90
申请日期：
2018-07-26
申请人：
华南理工大学

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著录项信息

专利名称	利用脉冲激光沉积技术调控晶格应力制备固体氧化物燃料电池的方法
申请号	CN201810836269.1	申请日期	2018-07-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-15	公开/公告号	CN109216711A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/88 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/86 用催化剂活化的惰性电极，例如用于燃料电池〔2〕 H01M4/88 制造方法〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;8;8;;;H;0;1;M;4;/;9;0查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	陈燕;李菲;陈惠君;张亚鹏;刘江;刘美林
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	向玉芳

摘要

本发明公开了利用脉冲激光沉积技术调控晶格应力制备固体氧化物燃料电池的方法；该方法先制备NNO靶材，然后将NNO靶材固定于脉冲激光沉积仪真空腔室的靶材托；将单晶衬底YSZ固定在PLD样品托上，在真空条件下升温至590‐610℃；通入纯氧，0.8‐1.2Pa氧压中稳定0.4‐0.6h；溅射PLD靶材NNO氧化物，金属蒸汽沿激光法线方向依次沉积在单晶衬底YSZ上，调节激光脉冲数控制NNO氧化物薄膜厚度为9‐50nm；最后涂刷法涂刷阴极浆料。本发明通过对晶格应力的调控，制备的固体氧化物燃料电池的性能得到大幅提升，稳定性好；同时兼具有安全性好、成本低廉、环保污染少等优势。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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