在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010785392.2
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0236
申请日期：
2020-08-06
申请人：
普乐（合肥）光技术有限公司

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专利名称	在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置及制备方法
申请号	CN202010785392.2	申请日期	2020-08-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-02	公开/公告号	CN111739983A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6查看分类表>
申请人	普乐（合肥）光技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市高新区海关路园景天下枫丹庄园9栋608号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	普乐（合肥）光技术有限公司	当前权利人	普乐（合肥）光技术有限公司
发明人	孙巍泉
代理机构	蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司	代理人	王琪

摘要

在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，包括从前至后依次串联的进口预抽室、进口过渡室、至少一个氧化室、至少一个工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室、出口室，任意相邻的两个腔室之间的连接处均设有真空隔离插板阀，进口预抽室、出口室的分别设有翻板阀，进口预抽室和出口室上连接有真空泵，进口过渡室、氧化室、工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室上均连接有涡轮分子泵，氧化室上连接有低能氧离子源，工作室内设有硅靶和气态掺杂源，回火室内的前部设有红外加热源、后部设有紫外激光回火系统。使用时将硅片放在石墨托盘上依次经过各腔室反应即可，上述设备结构简单，造价便宜，使用过程成本低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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