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一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610110667.6
  • IPC分类号:H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
  • 申请日期:
    2016-02-29
  • 申请人:
    TCL集团股份有限公司
著录项信息
专利名称一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法
申请号CN201610110667.6申请日期2016-02-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-05-11公开/公告号CN105576145A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/50IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人TCL集团股份有限公司申请人地址
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TCL集团股份有限公司当前权利人TCL集团股份有限公司
发明人陈亚文
代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王永文;刘文求
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法。本发明的量子点发光二级管中,阳极为凸起曲面结构,而沉积在其上的多个功能层以及阴极同样具有凸起曲面结构,这样整个QLED为曲面状,使得靠近阳极侧的电场线更加集中,电场强度更大,从而提高空穴的注入,进而提高QLED的性能。此外,这种曲面状的QLED由于其出光面积相对平面状QLED更大,且曲面状出光面还能减小光的全反射,因此提高了QLED的光取出效率,同样提高了QLED的性能。以这种曲面状QLED为发光元件的显示器,不仅性能更高,而且还能减小不同视角产生的色差和亮度偏差。

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