应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921181179.X
IPC分类号：H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/041;H01L31/0687;H01L31/0693
申请日期：
2019-07-25
申请人：
中山德华芯片技术有限公司

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专利名称	应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层
申请号	CN201921181179.X	申请日期	2019-07-25
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/0304 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;1;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;9;3查看分类表>
申请人	中山德华芯片技术有限公司	申请人地址	广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山德华芯片技术有限公司	当前权利人	中山德华芯片技术有限公司
发明人	刘建庆;高熙隆;文宏;刘雪珍;刘恒昌
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	冯炳辉

摘要

本实用新型公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本实用新型将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本。

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