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单晶碳化硅外延生长用供料件和单晶碳化硅的外延生长方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201180062452.7
  • IPC分类号:C30B29/36C30B19/04
  • 申请日期:
    2011-06-29
  • 申请人:
    东洋炭素株式会社
著录项信息
专利名称单晶碳化硅外延生长用供料件和单晶碳化硅的外延生长方法
申请号CN201180062452.7申请日期2011-06-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-08-28公开/公告号CN103270203A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/36IPC分类号C30B29/36;C30B19/04查看分类表>
申请人东洋炭素株式会社申请人地址
日本*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东洋炭素株式会社当前权利人东洋炭素株式会社
发明人鸟见聪;野上晓;松本强资
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射,作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰,观察到与(111)晶面对应的衍射峰和与(111)晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。

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