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一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110102654.1
  • IPC分类号:C01G23/047;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2011-04-22
  • 申请人:
    西安交通大学
著录项信息
专利名称一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法
申请号CN201110102654.1申请日期2011-04-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-08-10公开/公告号CN102145917A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G23/047IPC分类号C;0;1;G;2;3;/;0;4;7;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人西安交通大学申请人地址
陕西省西安市咸宁西路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学当前权利人西安交通大学
发明人阙文修;廖宇龙;申凤宇
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人陆万寿
摘要
一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法,采用水基溶液浸泡氧化钛纳米管,阳极氧化的方法制备无定型态氧化钛纳米管先驱物,实现了无定型态氧化钛纳米管低温结晶。晶化之后的氧化钛纳米管结晶性能良好,在光催化和太阳能光伏器件等方面有着广泛的应用前景。本发明与传统的高温煅烧结晶工艺相比,具有简单、节能和环保的特点。

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